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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMC86102LZ
- 价格 起订量
- ￥ 17.23400 1+
- ￥ 16.25849 10+
- ￥ 15.33820 100+
- ￥ 14.47000 500+
- ￥ 13.65094 1000+
- 型号： FDMC86102LZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 2768
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.23400
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Gold, Silver
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 质量：165.33333mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Ta 18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.3W Ta 41W Tc
- Turn Off Delay Time：19 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：24MOhm
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：41W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：7.1 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 6.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1290pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：22nC @ 10V
- 上升时间：2.3ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：2.5 ns
- 连续放电电流(ID)：7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏源击穿电压：100V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：30A
- 栅源电压：1.6 V
- 高度：750μm
- 长度：3.3mm
- 宽度：3.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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