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单MOSFET晶体管 / IRF9Z34NSTRLPBF
- 价格 起订量
- ￥ 16.15832 1+
- ￥ 15.24370 10+
- ￥ 14.38084 100+
- ￥ 13.56683 500+
- ￥ 12.79890 1000+
- 型号： IRF9Z34NSTRLPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 14053
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.15832
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.8W Ta 68W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：100mOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- 附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：-55V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-19A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：68W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：13 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100m Ω @ 10A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：620pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：55ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：41 ns
- 连续放电电流(ID)：-19A
- 阈值电压：-2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-55V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：68A
- 双电源电压：55V
- 恢复时间：82 ns
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 栅源电压：-4 V
- 高度：4.83mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：9.65mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：Contains Lead, Lead Free
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