简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDD18N20LZ
- 价格 起订量
- ￥ 16.67314 1+
- ￥ 15.72937 10+
- ￥ 14.83903 100+
- ￥ 13.99909 500+
- ￥ 13.20668 1000+
- 型号： FDD18N20LZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： N-Channel Power MOSFET, Logic Level, UniFETTM, 200 V, 16 A, 125 mO, DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 36
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.67314
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：260.37mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：89W Tc
- Turn Off Delay Time：135 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：UniFET™
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：125MOhm
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：89W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：15 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：125m Ω @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1575pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：40nC @ 10V
- 上升时间：20ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：50 ns
- 连续放电电流(ID)：16A
- JEDEC-95代码：TO-252AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：200V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：64A
- 高度：2.39mm
- 长度：6.73mm
- 宽度：6.22mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDD18N20LZ ON Semiconductor- FDD390N15ALZ ON Semiconductor
STD20NF20 STMicroelectronics- STD17NF25 STMicroelectronics
- STD25NF20 STMicroelectronics
