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单MOSFET晶体管 / BSS138NH6327XTSA2
- 价格 起订量
- ¥ 1.75602 1+
- ¥ 1.65662 10+
- ¥ 1.56285 100+
- ¥ 1.47439 500+
- ¥ 1.39093 1000+
- 型号: BSS138NH6327XTSA2
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述: Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 90000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 1.75602
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:230mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):4.5V 10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):360mW Ta
- Turn Off Delay Time:6.7 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:SIPMOS®
- 已出版:2002
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- 终端:SMD/SMT
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 附加功能:逻辑电平兼容
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 引脚数量:3
- 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 电压:50V
- 电流:2A
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:360mW
- 接通延迟时间:2.3 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5 Ω @ 230mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 26μA
- 无卤素:无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:41pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:1.4nC @ 10V
- 上升时间:3ns
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):8.2 ns
- 连续放电电流(ID):230mA
- 阈值电压:1V
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 最大双电源电压:60V
- 双电源电压:60V
- 恢复时间:14.5 ns
- 栅源电压:1 V
- 宽度:3.05mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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