简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMN65D8L-7
- 价格 起订量
- ￥ 1.04261 1+
- ￥ 0.98359 10+
- ￥ 0.92792 100+
- ￥ 0.87539 500+
- ￥ 0.82584 1000+
- 型号： DMN65D8L-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.04261
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：7.994566mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：310mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：370mW Ta
- Turn Off Delay Time：12.6 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：540mW
- 接通延迟时间：2.7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3 Ω @ 115mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：22pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.87nC @ 10V
- 上升时间：2.8ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：310mA
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.27A
- 漏极-源极导通最大电阻：4Ohm
- 漏源击穿电压：60V
- 高度：1.1mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated
2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies- 2N7002-7-F Diodes Incorporated
- 2N7002K-7 Diodes Incorporated
- DMN601K-7 Diodes Incorporated
