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单MOSFET晶体管 / FDMS86202
- 价格 起订量
- ￥ 29.97382 1+
- ￥ 28.27719 10+
- ￥ 26.67660 100+
- ￥ 25.16660 500+
- ￥ 23.74208 1000+
- 型号： FDMS86202
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 64A, 7.2mO
- 库存地点： 内地
- 库存： 240000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 29.97382
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：56.5mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.7W Ta 156W Tc
- Turn Off Delay Time：27 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：21 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.2m Ω @ 13.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4250pF @ 60V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：64nC @ 10V
- 上升时间：6ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5 ns
- 连续放电电流(ID)：13.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：40A
- 漏源击穿电压：120V
- 高度：1.05mm
- 长度：5.1mm
- 宽度：6.25mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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