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单MOSFET晶体管 / DMN63D8LW-13
- 价格 起订量
- ￥ 1.76323 1+
- ￥ 1.66342 10+
- ￥ 1.56926 100+
- ￥ 1.48044 500+
- ￥ 1.39664 1000+
- 型号： DMN63D8LW-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
- 库存地点： 内地
- 库存： 150000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.76323
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：380mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300mW Ta
- Turn Off Delay Time：11.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300mW
- 接通延迟时间：2.3 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.8 Ω @ 250mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：23.2pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.9nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：380mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.38A
- 漏极-源极导通最大电阻：4.5Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：1.1mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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