简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRFB3006PBF
- 价格 起订量
- ￥ 27.27803 1+
- ￥ 25.73399 10+
- ￥ 24.27735 100+
- ￥ 22.90316 500+
- ￥ 21.60675 1000+
- 型号： IRFB3006PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 50000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 27.27803
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：195A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：375W Tc
- Turn Off Delay Time：118 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2008
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：375W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.5m Ω @ 170A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8970pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：300nC @ 10V
- 上升时间：182ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：189 ns
- 连续放电电流(ID)：270A
- 阈值电压：3V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0025Ohm
- 漏源击穿电压：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：320 mJ
- 高度：9.02mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：4.826mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRFB3006PBF Infineon Technologies- IRFB3206PBF Infineon Technologies
- IRFB3006GPBF Infineon Technologies
- IRFB7534PBF Infineon Technologies
BUK7506-55B,127 NXP USA Inc.
