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单MOSFET晶体管 / STB28N60DM2
- 价格 起订量
- ￥ 36.04084 1+
- ￥ 34.00079 10+
- ￥ 32.07622 100+
- ￥ 30.26058 500+
- ￥ 28.54772 1000+
- 型号： STB28N60DM2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 18500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 36.04084
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- 系列：MDmesh™ DM2
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：STB28N
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：160m Ω @ 10.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1500pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：34nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±25V
- 连续放电电流(ID)：21A
- 阈值电压：4V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 达到SVHC：无SVHC
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