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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN2005DLP4K-7
- 价格 起订量
- ￥ 3.63529 1+
- ￥ 3.42951 10+
- ￥ 3.23539 100+
- ￥ 3.05226 500+
- ￥ 2.87949 1000+
- 型号： DMN2005DLP4K-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-XFDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.63529
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-XFDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散：400mW
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DMN2005DLP4K
- 引脚数量：6
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：400mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5 Ω @ 10mA, 4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 100μA
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 连续放电电流(ID)：300mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏极-源极导通最大电阻：3.5Ohm
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- 高度：350μm
- 长度：1.3mm
- 宽度：1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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