简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDME1023PZT
- 价格 起订量
- ￥ 9.11468 1+
- ￥ 8.59876 10+
- ￥ 8.11204 100+
- ￥ 7.65286 500+
- ￥ 7.21968 1000+
- 型号： FDME1023PZT
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-UFDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 20V Dual P-Channel PowerTrench
- 库存地点： 内地
- 库存： 25000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.11468
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UFDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 质量：25.2mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 附加功能：ESD PROTECTION
- 最大功率耗散：1.4W
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.3W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：4.7 ns
- 功率 - 最大：600mW
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：142m Ω @ 2.3A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：405pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7.7nC @ 4.5V
- 上升时间：4.8ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：16 ns
- 连续放电电流(ID)：2.6A
- 阈值电压：-600mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：-600 mV
- 反馈上限-最大值 (Crss)：75 pF
- 高度：500μm
- 长度：1.6mm
- 宽度：1.6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDME1023PZT ON Semiconductor
DMN2300UFB4-7B Diodes Incorporated
DMP21D0UFB4-7B Diodes Incorporated
NUS5531MTR2G ON Semiconductor
DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
