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专用晶体管 / NUS5531MTR2G
- 价格 起订量
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- 型号： NUS5531MTR2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 专用晶体管
- 封装： 8-WDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 2088
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-WDFN Exposed Pad
- 引脚数：8
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：80 ns
- Voltage Rated：20V PNP 12V P-Channel
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 应用：通用型
- 额定电流：2A PNP 5.47A P-Channel
- 端子位置：DUAL
- 额定电流：5.47A
- 引脚数量：8
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.46W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：8 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：17.5ns
- 下降时间（典型值）：17.5 ns
- 晶体管类型：PNP, P-Channel
- 连续放电电流(ID)：5.47A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.4A
- 漏源击穿电压：12V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 集电极电流-最大值(IC)：2A
- 最小直流增益（hFE）：150
- 漏源电阻：32mOhm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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