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MOSFETs 晶体管阵列 / DMC2020USD-13
- 价格 起订量
- ¥ 6.97646 1+
- ¥ 6.58157 10+
- ¥ 6.20903 100+
- ¥ 5.85757 500+
- ¥ 5.52601 1000+
- 型号: DMC2020USD-13
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
- 库存地点: 内地
- 库存: 78000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 6.97646
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数:8
- 质量:73.992255mg
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:7.8A 6.3A
- Number of Elements:2
- Turn Off Delay Time:94.1 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2011
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:8
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散:1.8W
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 引脚数量:8
- 操作模式:增强型MOSFET
- 场效应管类型:N and P-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ω @ 7A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1149pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:11.6nC @ 4.5V
- 极性/通道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID):6.3A
- 栅极至源极电压(Vgs):10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID):6.5A
- 漏源击穿电压:20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM):33.6A
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性:逻辑电平门
- 高度:1.5mm
- 长度:5mm
- 宽度:4mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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