图片经供参考,以实物为准

MOSFETs 晶体管阵列 / FDS4897AC
- 价格 起订量
- ¥ 2.03733 1+
- ¥ 1.92201 10+
- ¥ 1.81322 100+
- ¥ 1.71058 500+
- ¥ 1.61376 1000+
- 型号: FDS4897AC
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
- 库存地点: 内地
- 库存: 89999
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 2.03733
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间:12 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数:8
- 质量:187mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:6.1A 5.2A
- Number of Elements:2
- Turn Off Delay Time:17 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 系列:PowerTrench®
- 已出版:2006
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:8
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:26MOhm
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 最大功率耗散:900mW
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 资历状况:不合格
- 功率耗散:2W
- 接通延迟时间:8 ns
- 场效应管类型:N and P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:26m Ω @ 6.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1055pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:21nC @ 10V
- 上升时间:3ns
- 极性/通道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间(典型值):3 ns
- 连续放电电流(ID):5.2A
- 阈值电压:2V
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID):6.1A
- 漏源击穿电压:40V
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性:逻辑电平门
- 高度:1.575mm
- 长度:4.9mm
- 宽度:3.9mm
- 达到SVHC:无SVHC
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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