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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / NTMD6N03R2G
- 价格 起订量
- ￥ 4.07027 1+
- ￥ 3.83987 10+
- ￥ 3.62252 100+
- ￥ 3.41747 500+
- ￥ 3.22403 1000+
- 型号： NTMD6N03R2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 360000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.07027
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：45 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：32MOhm
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：6A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：NTMD6N03
- 引脚数量：8
- 资历状况：不合格
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 功率 - 最大：1.29W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：32m Ω @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：950pF @ 24V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：30nC @ 10V
- 上升时间：22ns
- 下降时间（典型值）：45 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：6A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：30A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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