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MOSFETs 晶体管阵列 / CPH6636R-TL-W
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: CPH6636R-TL-W
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述: Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 18000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间:7 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Turn Off Delay Time:22 μs
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散:900mW
- Reach合规守则:not_compliant
- 接通延迟时间:65 ns
- 场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Rds On(Max)@Id,Vgs:20m Ω @ 3A, 4.5V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:3nC @ 4.5V
- 上升时间:300ns
- 漏源电压 (Vdss):24V
- 下降时间(典型值):98 μs
- 连续放电电流(ID):6A
- 栅极至源极电压(Vgs):12V
- 漏源击穿电压:24V
- 场效应管特性:Logic Level Gate, 2.5V Drive
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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