简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / DMN5010VAK-7
- 价格 起订量
- ￥ 3.26150 1+
- ￥ 3.07689 10+
- ￥ 2.90272 100+
- ￥ 2.73842 500+
- ￥ 2.58341 1000+
- 型号： DMN5010VAK-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-563
- 库存地点： 内地
- 库存： 9200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.26150
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：6
- 质量：3.005049mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：250mW
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：6
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：250mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2 Ω @ 50mA, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：50V
- 连续放电电流(ID)：280mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏极-源极导通最大电阻：3Ohm
- 漏源击穿电压：50V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- 长度：1.6mm
- 高度：600μm
- 宽度：1.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMN5010VAK-7 Diodes Incorporated- DMN5L06VK-7 Diodes Incorporated
- 2N7002V ON Semiconductor
- DMN601VK-7 Diodes Incorporated
- DMN5L06VAK-7 Diodes Incorporated
