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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMS3600S
- 价格 起订量
- ￥ 7.45194 1+
- ￥ 7.03013 10+
- ￥ 6.63220 100+
- ￥ 6.25679 500+
- ￥ 5.90263 1000+
- 型号： FDMS3600S
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述： DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More Details
- 库存地点： 内地
- 库存： 157
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.45194
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 质量：171mg
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：38 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：7
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：1W
- 端子位置：QUAD
- JESD-30代码：R-PQFP-N7
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 箱体转运：排水源头
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：5.3ns
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：3.9 ns
- 连续放电电流(ID)：30A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：15A
- 漏源击穿电压：25V
- 输入电容：1.68nF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：1.6mOhm
- 最大rds：5.6 mΩ
- 栅源电压：1.8 V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：90 pF
- 高度：1.05mm
- 长度：5mm
- 宽度：6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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