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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMS3620S
- 价格 起订量
- ￥ 19.97720 1+
- ￥ 18.84641 10+
- ￥ 17.77964 100+
- ￥ 16.77324 500+
- ￥ 15.82381 1000+
- 型号： FDMS3620S
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
- 库存地点： 内地
- 库存： 79999
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 19.97720
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：90mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17.5A 38A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：41 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1W
- 基本部件号：FDMS3620S
- JESD-30代码：R-PDSO-N6
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 箱体转运：排水源头
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.7m Ω @ 17.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1570pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：26nC @ 10V
- 连续放电电流(ID)：38A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：17.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0047Ohm
- 漏源击穿电压：25V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1.05mm
- 长度：5.1mm
- 宽度：6.1mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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