简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDC8602
- 价格 起订量
- ￥ 12.10864 1+
- ￥ 11.42325 10+
- ￥ 10.77665 100+
- ￥ 10.16665 500+
- ￥ 9.59118 1000+
- 型号： FDC8602
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 19598
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.10864
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：35 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：5.4 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：ULTRA-LOW RESISTANCE
- 最大功率耗散：690mW
- 终端形式：鸥翼
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：690mW
- 接通延迟时间：3.5 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：350m Ω @ 1.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：70pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2nC @ 10V
- 上升时间：1.7ns
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 下降时间（典型值）：2.3 ns
- 连续放电电流(ID)：1.2A
- 阈值电压：3.2V
- JEDEC-95代码：MO-193AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.35Ohm
- 漏源击穿电压：100V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：Standard
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- 高度：1.1mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.7mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDC8602 ON Semiconductor
ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated- ZXMN10A08E6TC Diodes Incorporated
- FDC3601N ON Semiconductor
- ZXMP10A17E6QTA Diodes Incorporated
