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MOSFETs 晶体管阵列 / FDC3601N
- 价格 起订量
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- 型号： FDC3601N
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：11 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：500MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：100V
- 最大功率耗散：960mW
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：1A
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：960mW
- 接通延迟时间：8 ns
- 功率 - 最大：700mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：500m Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：153pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：1A
- 阈值电压：2.6V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1A
- 漏源击穿电压：100V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- 高度：1mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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