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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDPC8014S
- 价格 起订量
- ￥ 13.12762 1+
- ￥ 12.38455 10+
- ￥ 11.68354 100+
- ￥ 11.02221 500+
- ￥ 10.39831 1000+
- 型号： FDPC8014S
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
- 库存地点： 内地
- 库存： 49200
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.12762
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 质量：207.7333mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A 41A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：47 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：2.3W
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：2
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：16 ns
- 功率 - 最大：2.1W 2.3W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.8m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2375pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：6ns
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：41A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：110A
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：75A
- 雪崩能量等级（Eas）：73 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：750μm
- 长度：5.1mm
- 宽度：6.1mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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