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单相BJT晶体管 / MBT35200MT2G
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: MBT35200MT2G
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: SOT-23-6
- 描述: Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 308
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:18 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SOT-23-6
- 引脚数:6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:35V
- Current-Collector (Ic) (Max):2A
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2005
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- 最大功率耗散:1W
- 基本部件号:MBT35200
- 元素配置:Single
- 功率 - 最大:625mW
- 增益带宽积:100MHz
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):35V
- 最大集电极电流:2A
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 1.5A 1.5V
- 最大集极截止电流:100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):310mV @ 20mA, 2A
- 集电极基极电压(VCBO):55V
- 发射极基极电压 (VEBO):5V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
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