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单相BJT晶体管 / PMEM4020ND,115
- 价格 起订量
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- 型号： PMEM4020ND,115
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： SC-74, SOT-457
- 描述： TRANS NPN 40V 0.95A 6TSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-74, SOT-457
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：950mA
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：PMEM4020N
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 功率 - 最大：600mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN + Diode (Isolated)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：300 @ 500mA 5V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 200mA, 2A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
- 频率转换：150MHz
- 最大耗散功率(Abs)：1W
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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