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单相BJT晶体管 / BD435
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BD435
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： TRANS NPN 32V 4A TO-225AA
- 库存地点： 内地
- 库存： 50000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-225AA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32V
- Current-Collector (Ic) (Max)：4A
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2005
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：32V
- 最大功率耗散：36W
- 额定电流：4A
- 频率：3MHz
- 基本部件号：BD435
- 极性：NPN
- 功率耗散：36W
- 功率 - 最大：36W
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：500mV
- 最大集电极电流：4A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：85 @ 500mA 1V
- 最大集极截止电流：100μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 200mA, 2A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：32V
- 频率转换：3MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：32V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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