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单相BJT晶体管 / APT13005SU-G1
- 价格 起订量
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- 型号： APT13005SU-G1
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-225AA, TO-126-3
- 描述： TRANS NPN 450V 3.2A TO126
- 库存地点： 内地
- 库存： 4500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-225AA, TO-126-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Current-Collector (Ic) (Max)：3.2A
- Number of Elements：1
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：20W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：4MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：1V
- 最大集电极电流：3.2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：8 @ 2A 5V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 750mA, 3A
- 转换频率：4MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：10V
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 高度：11.2mm
- 长度：8.2mm
- 宽度：2.9mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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