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单相BJT晶体管 / 2N5400RA
- 价格 起订量
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- ￥ 0.78331 10+
- ￥ 0.73898 100+
- ￥ 0.69715 500+
- ￥ 0.65769 1000+
- 型号： 2N5400RA
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： TRANS PNP 120V 0.6A TO-92
- 库存地点： 内地
- 库存： 3012
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.83031
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-92-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Current-Collector (Ic) (Max)：600mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：-120V
- 最大功率耗散：625mW
- 额定电流：-600mA
- 基本部件号：2N5400
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 功率耗散：625mW
- 功率 - 最大：625mW
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：120V
- 最大集电极电流：600mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 5mA, 50mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：120V
- 频率转换：400MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：130V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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