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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N5401YBU
- 价格 起订量
- ￥ 0.68309 1+
- ￥ 0.64442 10+
- ￥ 0.60794 100+
- ￥ 0.57353 500+
- ￥ 0.54107 1000+
- 型号： 2N5401YBU
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk
- 库存地点： 内地
- 库存： 17000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.68309
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 质量：179mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：150V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：-160V
- 最大功率耗散：625mW
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：-600mA
- 频率：400MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：2N5401
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 功率耗散：625mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：400MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：150V
- 最大集电极电流：600mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：60 @ 10mA 5V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 5mA, 50mA
- 转换频率：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：160V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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