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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / NJVMJD31CT4G
- 价格 起订量
- ￥ 7.06206 1+
- ￥ 6.66232 10+
- ￥ 6.28521 100+
- ￥ 5.92944 500+
- ￥ 5.59381 1000+
- 型号： NJVMJD31CT4G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： TRANS NPN 100V 3A DPAK-4
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.06206
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：15W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 频率：3MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 功率耗散：1.56W
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：40V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：25 @ 1A 4V
- 最大集极截止电流：50μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.2V @ 375mA, 3A
- 转换频率：3MHz
- 最大击穿电压：100V
- 集电极基极电压(VCBO)：100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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