简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / NSS1C301ET4G
- 价格 起订量
- ￥ 6.01055 1+
- ￥ 5.67033 10+
- ￥ 5.34937 100+
- ￥ 5.04658 500+
- ￥ 4.76092 1000+
- 型号： NSS1C301ET4G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin DPAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 42
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.01055
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 质量：260.39037mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：115mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：120
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2016
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：2.1W
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 增益带宽积：120MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：120 @ 1A 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 300mA, 3A
- 转换频率：120MHz
- 最大击穿电压：100V
- 集电极基极电压(VCBO)：140V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 连续集电极电流：3A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NSS1C301ET4G ON Semiconductor
MJD31C-13 Diodes Incorporated
KSH31CTF ON Semiconductor- MJD31CT4G ON Semiconductor
- MJD31CG ON Semiconductor
