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单相BJT晶体管 / DXT13003DK-13
- 价格 起订量
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- 型号： DXT13003DK-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-252 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 20
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.5A
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：3.9W
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：1.6W
- 增益带宽积：4MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：400mV
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：16 @ 500mA 2V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 250mA, 1A
- 转换频率：4MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：9V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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