简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / ZXTN04120HKTC
- 价格 起订量
- ￥ 5.74981 1+
- ￥ 5.42435 10+
- ￥ 5.11731 100+
- ￥ 4.82765 500+
- ￥ 4.55439 1000+
- 型号： ZXTN04120HKTC
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252
- 库存地点： 内地
- 库存： 13410
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.74981
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：2
- 质量：200.005886mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Number of Elements：1
- hFEMin：500
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.5W
- 终端形式：鸥翼
- 参考标准：AEC-Q101
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：150MHz
- 晶体管类型：NPN - Darlington
- 集电极发射器电压(VCEO)：120V
- 最大集电极电流：1.5A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：2000 @ 1A 5V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 1mA, 1A
- 转换频率：150MHz
- 最大击穿电压：120V
- 集电极基极电压(VCBO)：140V
- 发射极基极电压 (VEBO)：14V
- 连续集电极电流：1.5A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
ZXTN04120HKTC Diodes Incorporated
2SD1816S-TL-E ON Semiconductor
2SD1918TLQ ROHM Semiconductor- DXT13003EK-13 Diodes Incorporated
- DXT13003DK-13 Diodes Incorporated
