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单相BJT晶体管 / STD1802T4
- 价格 起订量
- ￥ 7.31906 1+
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- ￥ 6.14522 500+
- ￥ 5.79738 1000+
- 型号： STD1802T4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： STMICROELECTRONICS - STD1802T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 150 MHz, 15 W, 3 A, 200 hFE
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.31906
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 最大功率耗散：15W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：150MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STD18
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：15W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：60V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：400mV @ 150mA, 3A
- 转换频率：150MHz
- 最大击穿电压：60V
- 集电极基极电压(VCBO)：80V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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