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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / MJD32CQ-13
- 价格 起订量
- ￥ 7.77641 1+
- ￥ 7.33624 10+
- ￥ 6.92098 100+
- ￥ 6.52922 500+
- ￥ 6.15964 1000+
- 型号： MJD32CQ-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans GP BJT PNP 100V 3A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 130000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.77641
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：15W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 频率：3MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE
- 功率耗散：15W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：10 @ 3A 4V
- 最大集极截止电流：1μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.2V @ 375mA, 3A
- 转换频率：3MHz
- 最大击穿电压：100V
- 集电极基极电压(VCBO)：100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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