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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / MJD32C-13
- 价格 起订量
- ￥ 5.23830 1+
- ￥ 4.94180 10+
- ￥ 4.66207 100+
- ￥ 4.39818 500+
- ￥ 4.14923 1000+
- 型号： MJD32C-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.23830
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：21 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Number of Elements：1
- hFEMin：10
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：通用型
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.56W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：15W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 增益带宽积：3MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：100V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：10 @ 3A 4V
- 最大集极截止电流：1μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.2V @ 375mA, 3A
- 转换频率：3MHz
- 最大击穿电压：100V
- 集电极基极电压(VCBO)：100V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- 高度：2.4mm
- 长度：6.8mm
- 宽度：6.2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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