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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SB1202T-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 14.27752 1+
- ￥ 13.46936 10+
- ￥ 12.70694 100+
- ￥ 11.98768 500+
- ￥ 11.30913 1000+
- 型号： 2SB1202T-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 700
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.27752
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-700μV
- Number of Elements：1
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：1W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 频率：150MHz
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：2SB1202
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1W
- 增益带宽积：150MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：3A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：1μA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：700mV @ 100mA, 2A
- 集电极基极电压(VCBO)：-60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 高度：2.3mm
- 长度：6.5mm
- 宽度：5.5mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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