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单相BJT晶体管 / 2SA1162-O,LF
- 价格 起订量
- ¥ 0.83576 1+
- ¥ 0.78845 10+
- ¥ 0.74382 100+
- ¥ 0.70172 500+
- ¥ 0.66200 1000+
- 型号: 2SA1162-O,LF
- 厂商: Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别: 单相BJT晶体管
- 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
- 库存地点: 内地
- 库存: 11798
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.83576
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:12 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-300mV
- 操作温度:125°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2014
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 最大功率耗散:150mW
- Reach合规守则:unknown
- 功率 - 最大:150mW
- 增益带宽积:80MHz
- 晶体管类型:PNP
- 集电极发射器电压(VCEO):300mV
- 最大集电极电流:150mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:200 @ 2mA 6V
- 最大集极截止电流:100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):300mV @ 10mA, 100mA
- 最大击穿电压:50V
- 集电极基极电压(VCBO):-50V
- 发射极基极电压 (VEBO):-5V
- 连续集电极电流:-150mA
- RoHS状态:符合RoHS标准
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