简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SA1162-GR,LF
- 价格 起订量
- ￥ 0.92179 1+
- ￥ 0.86962 10+
- ￥ 0.82039 100+
- ￥ 0.77396 500+
- ￥ 0.73015 1000+
- 型号： 2SA1162-GR,LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
- 库存地点： 内地
- 库存： 455
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.92179
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 质量：7.994566mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：100mV
- hFEMin：70
- 操作温度：125°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：150mW
- Reach合规守则：unknown
- 基本部件号：2SA1162
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：150mW
- 增益带宽积：80MHz
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：150mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA 6V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 10mA, 100mA
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1162YT1 ON Semiconductor- 2SA1162GT1 ON Semiconductor
DTA115GKAT146 ROHM Semiconductor- 2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
