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单相BJT晶体管 / BCW30T116
- 价格 起订量
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- 型号： BCW30T116
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS PNP 32V 0.1A SST3
- 库存地点： 内地
- 库存： 43
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- hFEMin：210
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2016
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- HTS代码：8541.21.00.75
- 电压 - 额定直流：-32V
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：-100mA
- 基本部件号：BCW30
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：250MHz
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：32V
- 最大集电极电流：100mA
- 转换频率：250MHz
- 最小直流增益（hFE）：210
- 连续集电极电流：100mA
- VCEsat-最大值：0.3 V
- 集电极-基极电容-最大值：7pF
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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