简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 - 预偏置 / DRA2L14Y0L
- 价格 起订量
- ￥ 0.60209 1+
- ￥ 0.56801 10+
- ￥ 0.53586 100+
- ￥ 0.50552 500+
- ￥ 0.47691 1000+
- 型号： DRA2L14Y0L
- 厂商： Panasonic Electronic Components
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
- 库存地点： 内地
- 库存： 32
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.60209
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1.2V
- Number of Elements：1
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2016
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 附加功能：BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.7
- HTS代码：8541.21.00.95
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：DRA2L14
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：PNP - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：-30V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.2V @ 330μA, 50mA
- 最大击穿电压：30V
- 电阻基(R1)：10 k Ω
- 连续集电极电流：-100mA
- 电阻-发射极基极(R2)：47 k Ω
- 高度：1.1mm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.5mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DRA2L14Y0L Panasonic Electronic Components- DRA2123Y0L Panasonic Electronic Components
BC858BT116 ROHM Semiconductor- DRA2144E0L Panasonic Electronic Components
- BCW30T116 ROHM Semiconductor
