图片经供参考,以实物为准

单相BJT晶体管 / SSTA13T116

  • 价格 起订量
  • ¥ 1.51863 1+
  • ¥ 1.43267 10+
  • ¥ 1.35157 100+
  • ¥ 1.27507 500+
  • ¥ 1.20290 1000+
  • 型号: SSTA13T116
  • 厂商: ROHM Semiconductor
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 描述: TRANS NPN 30V 0.3A SST3
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 9280
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 1.51863

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 引脚数:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:30V
  • Current-Collector (Ic) (Max):300mA
  • Number of Elements:1
  • hFEMin:5000
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2004
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:不用于新设计
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • HTS代码:8541.21.00.75
  • 最大功率耗散:200mW
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s):10
  • 基本部件号:STA13
  • 极性:NPN
  • 元素配置:Single
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 增益带宽积:125MHz
  • 晶体管类型:NPN - Darlington
  • 集电极发射器电压(VCEO):30V
  • 最大集电极电流:300mA
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:10000 @ 100mA 5V
  • 最大集极截止电流:100nA ICBO
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):1.5V @ 100μA, 100mA
  • 转换频率:125MHz
  • 集电极基极电压(VCBO):30V
  • 发射极基极电压 (VEBO):10V
  • VCEsat-最大值:1.5 V
  • 集电极-基极电容-最大值:7pF
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

采购询价

可替换产品