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单相BJT晶体管 / NSVBC817-16LT1G
- 价格 起订量
- ￥ 5.70606 1+
- ￥ 5.38307 10+
- ￥ 5.07837 100+
- ￥ 4.79091 500+
- ￥ 4.51973 1000+
- 型号： NSVBC817-16LT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 161688
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.70606
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：1.437803g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：500mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：300mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 参考标准：AEC-Q101
- 元素配置：Single
- 功率 - 最大：225mW
- 增益带宽积：100MHz
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：45V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：700mV @ 50mA, 500mA
- 转换频率：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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