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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2SB1201T-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 4.77570 1+
- ￥ 4.50537 10+
- ￥ 4.25035 100+
- ￥ 4.00977 500+
- ￥ 3.78280 1000+
- 型号： 2SB1201T-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
- 库存地点： 内地
- 库存： 1592
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.77570
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Current-Collector (Ic) (Max)：2A
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散：800mW
- 频率：150MHz
- 基本部件号：2SB1201
- 引脚数量：3
- 功率耗散：800mW
- 晶体管类型：PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：2A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：700mV @ 50mA, 1A
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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