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单相BJT晶体管 - 预偏置 / DDTD123TC-7-F
- 价格 起订量
- ￥ 1.61161 1+
- ￥ 1.52039 10+
- ￥ 1.43433 100+
- ￥ 1.35314 500+
- ￥ 1.27655 1000+
- 型号： DDTD123TC-7-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 84000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.61161
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：19 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：7.994566mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 附加功能：内置偏置电阻
- HTS代码：8541.21.00.75
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：DTD123
- 引脚数量：3
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：40V
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 50mA 5V
- 最大集极截止电流：500nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 2.5mA, 50mA
- 转换频率：200MHz
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：200MHz
- 电阻基(R1)：2.2 k Ω
- 连续集电极电流：500mA
- 高度：1mm
- 长度：3.05mm
- 宽度：1.4mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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