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BJT 晶体管阵列 / UMT2NTR
- 价格 起订量
- ￥ 2.61142 1+
- ￥ 2.46361 10+
- ￥ 2.32416 100+
- ￥ 2.19260 500+
- ￥ 2.06849 1000+
- 型号： UMT2NTR
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT
- 库存地点： 内地
- 库存： 90000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.61142
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：120
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Copper (Sn/Cu)
- HTS代码：8541.21.00.75
- 电压 - 额定直流：-50V
- 最大功率耗散：150mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-150mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：MT2
- 引脚数量：6
- 极性：PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：150mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 增益带宽积：140MHz
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：150mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：120 @ 1mA 6V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：500mV @ 5mA, 50mA
- 最高频率：100MHz
- 转换频率：140MHz
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：60V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 连续集电极电流：-150mA
- VCEsat-最大值：0.5 V
- 高度：900μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.25mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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