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BJT 晶体管阵列 / HN2A01FU-GR(TE85LF
- 价格 起订量
- ￥ 1.45356 1+
- ￥ 1.37128 10+
- ￥ 1.29366 100+
- ￥ 1.22044 500+
- ￥ 1.15136 1000+
- 型号： HN2A01FU-GR(TE85LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SSOP T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 6197
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.45356
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-100mV
- hFEMin：120
- 操作温度：125°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：200mW
- 极性：PNP
- 元素配置：Dual
- 功率 - 最大：200mW
- 增益带宽积：80MHz
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：150mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA 6V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 10mA, 100mA
- 最大击穿电压：50V
- 集电极基极电压(VCBO)：-50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：-5V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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