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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / NGTB30N60L2WG
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NGTB30N60L2WG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 70
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Test Conditions：300V, 30A, 30 Ω, 15V
- 操作温度：175°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：225W
- Reach合规守则：not_compliant
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：225W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.6V
- 最大集电极电流：100A
- 反向恢复时间：70 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V, 30A
- 闸门收费：166nC
- 集极脉冲电流（Icm）：60A
- Td（开/关）@25°C：100ns/390ns
- 开关能量：310μJ (on), 1.14mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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