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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / NGTG25N120FL2WG
- 价格 起订量
- ￥ 13.45600 1+
- ￥ 12.69434 10+
- ￥ 11.97580 100+
- ￥ 11.29792 500+
- ￥ 10.65842 1000+
- 型号： NGTG25N120FL2WG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 3-Pin TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 8
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.45600
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Number of Elements：1
- Test Conditions：600V, 25A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2000
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：385W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：385W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.4V
- 最大集电极电流：50A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：178 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 25A
- 关断时间-标准值（toff)：430 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：178nC
- 集极脉冲电流（Icm）：100A
- Td（开/关）@25°C：87ns/179ns
- 开关能量：1.95mJ (on), 600μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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