图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / IRG7PH35UD1MPBF

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: IRG7PH35UD1MPBF
  • 厂商: Infineon Technologies
  • 类别: 单片IGBT晶体管
  • 封装: TO-247-3
  • 描述: IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 3800
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-247-3
  • 表面安装:NO
  • Current-Collector (Ic) (Max):50A
  • Test Conditions:600V, 20A, 10 Ω, 15V
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tube
  • 已出版:2013
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • ECCN 代码:EAR99
  • Reach合规守则:compliant
  • 基本部件号:IRG7PH35
  • 输入类型:Standard
  • 功率 - 最大:179W
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 最大耗散功率(Abs):179W
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V, 20A
  • IGBT类型:Trench
  • 闸门收费:130nC
  • 集极脉冲电流(Icm):150A
  • Td(开/关)@25°C:-/160ns
  • 开关能量:620μJ (off)
  • 栅极-发射极电压-最大值:30V
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值:6V
  • 最大下降时间 (tf):105ns
  • RoHS状态:符合RoHS标准

采购询价