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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / STGW25H120F2
- 价格 起订量
- ￥ 41.04553 1+
- ￥ 38.72220 10+
- ￥ 36.53038 100+
- ￥ 34.46262 500+
- ￥ 32.51191 1000+
- 型号： STGW25H120F2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
- 库存地点： 内地
- 库存： 70
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 41.04553
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：32 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 质量：38.000013g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.1V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：600V, 25A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：375W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STGW25
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：375W
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.6V
- 最大集电极电流：50A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 接通时间：41 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V, 25A
- 关断时间-标准值（toff)：339 ns
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：100nC
- 集极脉冲电流（Icm）：100A
- Td（开/关）@25°C：29ns/130ns
- 开关能量：600μJ (on), 700μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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